HN3A51F(TE85L,F)
HN3A51F(TE85L,F)
Số Phần:
HN3A51F(TE85L,F)
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15096 Pieces
Bảng dữliệu:
HN3A51F(TE85L,F).pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho HN3A51F(TE85L,F), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HN3A51F(TE85L,F) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua HN3A51F(TE85L,F) với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):120V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:2 PNP (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SM6
Loạt:-
Power - Max:300mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-74, SOT-457
Vài cái tên khác:HN3A51F (TE85L,F)
HN3A51F(TE85LF)TR
HN3A51FTE85LF
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:HN3A51F(TE85L,F)
Tần số - Transition:100MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Sự miêu tả:TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:200 @ 2mA, 6V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận