HTNFET-DC
Số Phần:
HTNFET-DC
nhà chế tạo:
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18925 Pieces
Bảng dữliệu:
HTNFET-DC.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho HTNFET-DC, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HTNFET-DC qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua HTNFET-DC với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 100µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:-
Loạt:HTMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:400 mOhm @ 100mA, 5V
Điện cực phân tán (Max):50W (Tj)
Bao bì:Tube
Gói / Case:8-CDIP Exposed Pad
Nhiệt độ hoạt động:-
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:HTNFET-DC
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 28V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:4.3nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole
Xả để nguồn điện áp (Vdss):55V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận