HUF75617D3ST
HUF75617D3ST
Số Phần:
HUF75617D3ST
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13069 Pieces
Bảng dữliệu:
HUF75617D3ST.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho HUF75617D3ST, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HUF75617D3ST qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua HUF75617D3ST với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-252AA
Loạt:UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, VGS:90 mOhm @ 16A, 10V
Điện cực phân tán (Max):64W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:HUF75617D3ST
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 20V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 16A (Tc) 64W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận