HUFA75309D3
HUFA75309D3
Số Phần:
HUFA75309D3
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 55V 19A IPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16087 Pieces
Bảng dữliệu:
HUFA75309D3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho HUFA75309D3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HUFA75309D3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua HUFA75309D3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-251AA
Loạt:UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, VGS:70 mOhm @ 19A, 10V
Điện cực phân tán (Max):55W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:HUFA75309D3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 20V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 55V 19A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-251AA
Xả để nguồn điện áp (Vdss):55V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 55V 19A IPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:19A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận