HUFA75652G3
Số Phần:
HUFA75652G3
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12362 Pieces
Bảng dữliệu:
HUFA75652G3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho HUFA75652G3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HUFA75652G3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua HUFA75652G3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-247
Loạt:UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, VGS:8 mOhm @ 75A, 10V
Điện cực phân tán (Max):515W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:HUFA75652G3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:7585pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:475nC @ 20V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 75A (Tc) 515W (Tc) Through Hole TO-247
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận