IMB11AT110
IMB11AT110
Số Phần:
IMB11AT110
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12015 Pieces
Bảng dữliệu:
IMB11AT110.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IMB11AT110, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IMB11AT110 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IMB11AT110 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SMT6
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):10k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:300mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-74, SOT-457
Vài cái tên khác:IMB11AT110TR
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IMB11AT110
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:30 @ 5mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận