IMB1AT110
IMB1AT110
Số Phần:
IMB1AT110
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13692 Pieces
Bảng dữliệu:
IMB1AT110.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IMB1AT110, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IMB1AT110 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IMB1AT110 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SMT6
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):22k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):22k
Power - Max:300mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-74, SOT-457
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IMB1AT110
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:56 @ 5mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận