IMD10AT108
IMD10AT108
Số Phần:
IMD10AT108
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13566 Pieces
Bảng dữliệu:
IMD10AT108.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IMD10AT108, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IMD10AT108 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IMD10AT108 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Loại bóng bán dẫn:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SMT6
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):10k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):10k, 100
Power - Max:300mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-74, SOT-457
Vài cái tên khác:IMD10AT108TR
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IMD10AT108
Tần số - Transition:250MHz, 200MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
Sự miêu tả:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA, 500mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận