IMD16AT108
IMD16AT108
Số Phần:
IMD16AT108
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14616 Pieces
Bảng dữliệu:
IMD16AT108.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IMD16AT108, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IMD16AT108 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IMD16AT108 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
Loại bóng bán dẫn:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SMT6
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):22k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):100k, 2.2k
Power - Max:300mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-74, SOT-457
Vài cái tên khác:IMD16AT108-ND
IMD16AT108TR
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IMD16AT108
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Sự miêu tả:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):-
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA, 500mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận