IMH21T110 - Rohm Semiconductor - Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased IMH21T110

IMH21T110

Số Phần:: IMH21T110

nhà chế tạo:: LAPIS Semiconductor

Sự miêu tả:: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 15355 Pieces

Bảng dữliệu:: IMH21T110.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IMH21T110, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IMH21T110 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua IMH21T110 với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	20V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:	150mV @ 2.5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:	SMT6
Loạt:	-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):	-
Điện trở - Base (R1) (Ohms):	10k
Power - Max:	300mW
Bao bì:	Original-Reel®
Gói / Case:	SC-74, SOT-457
Vài cái tên khác:	IMH21T110DKR
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	IMH21T110
Tần số - Transition:	150MHz
Mô tả mở rộng:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6
Sự miêu tả:	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	820 @ 50mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	500nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	600mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho IMH21T110

hình ảnh	Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
	DMC561030R	Panasonic Electronic Components	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5	Tin nhắn của bạn
	SMUN5311DW1T1G	ON Semiconductor	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức