IMH9AT110 - Rohm Semiconductor - Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased IMH9AT110

IMH9AT110

Số Phần:: IMH9AT110

nhà chế tạo:: LAPIS Semiconductor

Sự miêu tả:: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 18800 Pieces

Bảng dữliệu:: IMH9AT110.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IMH9AT110, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IMH9AT110 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua IMH9AT110 với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:	SMT6
Loạt:	-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):	47k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):	10k
Power - Max:	300mW
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	SC-74, SOT-457
Vài cái tên khác:	IMH9AT110-ND IMH9AT110TR
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	IMH9AT110
Tần số - Transition:	250MHz
Mô tả mở rộng:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Sự miêu tả:	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	68 @ 5mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho IMH9AT110

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
DCX142JU-7-F	Diodes Incorporated	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363	Tin nhắn của bạn
PBLS4004V,115	NXP USA Inc.	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666	Tin nhắn của bạn
PEMH13,315	Nexperia USA Inc.	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức