IMT1AT110 - Rohm Semiconductor - Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng IMT1AT110

IMT1AT110

Số Phần:: IMT1AT110

nhà chế tạo:: LAPIS Semiconductor

Sự miêu tả:: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 14809 Pieces

Bảng dữliệu:: IMT1AT110.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IMT1AT110, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IMT1AT110 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua IMT1AT110 với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:	500mV @ 5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:	2 PNP (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:	SMT6
Loạt:	-
Power - Max:	300mW
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	SC-74, SOT-457
Vài cái tên khác:	IMT1AT110-ND IMT1AT110TR
Nhiệt độ hoạt động:	150°C (TJ)
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	IMT1AT110
Tần số - Transition:	140MHz
Mô tả mở rộng:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 140MHz 300mW Surface Mount SMT6
Sự miêu tả:	TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	120 @ 1mA, 6V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	150mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho IMT1AT110

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
XP0650100L	Panasonic Electronic Components	TRANS 2NPN 50V 0.1A SMINI6	Tin nhắn của bạn
IMT1AT108	Rohm Semiconductor	TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT	Tin nhắn của bạn
MC1413DR2	ON Semiconductor	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO	Tin nhắn của bạn
PMBT3946YPN,115	Nexperia USA Inc.	TRANS NPN/PNP 40V 0.2A 6TSSOP	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức