IPA086N10N3 G
IPA086N10N3 G
Số Phần:
IPA086N10N3 G
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19984 Pieces
Bảng dữliệu:
IPA086N10N3 G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPA086N10N3 G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPA086N10N3 G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPA086N10N3 G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 75µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO220-FP
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:8.6 mOhm @ 45A, 10V
Điện cực phân tán (Max):37.5W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack
Vài cái tên khác:IPA086N10N3G
IPA086N10N3GXKSA1
SP000485984
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPA086N10N3 G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3980pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 45A (Tc) 37.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:45A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận