IPAN60R650CEXKSA1
IPAN60R650CEXKSA1
Số Phần:
IPAN60R650CEXKSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19561 Pieces
Bảng dữliệu:
IPAN60R650CEXKSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPAN60R650CEXKSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPAN60R650CEXKSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPAN60R650CEXKSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 200µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO220 Full Pack
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:650 mOhm @ 2.4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):28W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack
Vài cái tên khác:SP001508816
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:-
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:6 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPAN60R650CEXKSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:20.5nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:Super Junction
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 9.9A (Tc) 28W (Tc) PG-TO220 Full Pack
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:9.9A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận