IPAW60R360P7SXKSA1
IPAW60R360P7SXKSA1
Số Phần:
IPAW60R360P7SXKSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18448 Pieces
Bảng dữliệu:
IPAW60R360P7SXKSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPAW60R360P7SXKSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPAW60R360P7SXKSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPAW60R360P7SXKSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 140µA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO220 Full Pack
Loạt:CoolMOS™ P7
Rds On (Max) @ Id, VGS:360 mOhm @ 2.7A, 10V
Điện cực phân tán (Max):22W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack
Vài cái tên khác:SP001606074
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPAW60R360P7SXKSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:555pF @ 400V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 650V 9A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận