IPB60R199CPAATMA1
IPB60R199CPAATMA1
Số Phần:
IPB60R199CPAATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH TO263-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19007 Pieces
Bảng dữliệu:
IPB60R199CPAATMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPB60R199CPAATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPB60R199CPAATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPB60R199CPAATMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 1.1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO263-3
Loạt:Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:199 mOhm @ 9.9A, 10V
Điện cực phân tán (Max):139W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác:SP000539966
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPB60R199CPAATMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1520pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 16A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH TO263-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận