IPB65R280E6ATMA1
IPB65R280E6ATMA1
Số Phần:
IPB65R280E6ATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH TO263-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17404 Pieces
Bảng dữliệu:
IPB65R280E6ATMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPB65R280E6ATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPB65R280E6ATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPB65R280E6ATMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 440µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO263
Loạt:CoolMOS™ E6
Rds On (Max) @ Id, VGS:280 mOhm @ 4.4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):104W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác:SP000795274
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPB65R280E6ATMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 650V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH TO263-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:13.8A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận