IPD053N08N3GBTMA1
IPD053N08N3GBTMA1
Số Phần:
IPD053N08N3GBTMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17506 Pieces
Bảng dữliệu:
IPD053N08N3GBTMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPD053N08N3GBTMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPD053N08N3GBTMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPD053N08N3GBTMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 90µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO252-3
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:5.3 mOhm @ 90A, 10V
Điện cực phân tán (Max):150W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:IPD053N08N3 G
IPD053N08N3 G-ND
IPD053N08N3 GTR-ND
IPD053N08N3G
SP000395183
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IPD053N08N3GBTMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:4750pF @ 40V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:69nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 80V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):80V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận