IPD09N03LB G
IPD09N03LB G
Số Phần:
IPD09N03LB G
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12251 Pieces
Bảng dữliệu:
IPD09N03LB G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPD09N03LB G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPD09N03LB G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPD09N03LB G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 20µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO252-3
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:9.1 mOhm @ 50A, 10V
Điện cực phân tán (Max):58W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:IPD09N03LBGXT
SP000016412
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):3 (168 Hours)
Số phần của nhà sản xuất:IPD09N03LB G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận