IPD135N03LGXT
IPD135N03LGXT
Số Phần:
IPD135N03LGXT
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15519 Pieces
Bảng dữliệu:
IPD135N03LGXT.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPD135N03LGXT, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPD135N03LGXT qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPD135N03LGXT với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO252-3
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:13.5 mOhm @ 30A, 10V
Điện cực phân tán (Max):31W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:IPD135N03LG
IPD135N03LGINTR
IPD135N03LGINTR-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IPD135N03LGXT
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận