IPD30N06S4L23ATMA2
IPD30N06S4L23ATMA2
Số Phần:
IPD30N06S4L23ATMA2
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15948 Pieces
Bảng dữliệu:
IPD30N06S4L23ATMA2.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPD30N06S4L23ATMA2, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPD30N06S4L23ATMA2 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPD30N06S4L23ATMA2 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 10µA
Vgs (Tối đa):±16V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO252-3-11
Loạt:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:23 mOhm @ 30A, 10V
Điện cực phân tán (Max):36W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:IPD30N06S4L23ATMA2TR
SP001028638
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:26 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPD30N06S4L23ATMA2
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1560pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 30A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận