IPD50P04P4L-11
IPD50P04P4L-11
Số Phần:
IPD50P04P4L-11
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16067 Pieces
Bảng dữliệu:
IPD50P04P4L-11.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPD50P04P4L-11, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPD50P04P4L-11 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPD50P04P4L-11 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 85µA
Vgs (Tối đa):±16V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO252-3-313
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:10.6 mOhm @ 50A, 10V
Điện cực phân tán (Max):58W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:IPD50P04P4L-11TR
IPD50P04P4L11
IPD50P04P4L11ATMA1
SP000671156
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:26 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPD50P04P4L-11
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3900pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:59nC @ 10V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 40V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):40V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận