IPD600N25N3GBTMA1
IPD600N25N3GBTMA1
Số Phần:
IPD600N25N3GBTMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14154 Pieces
Bảng dữliệu:
IPD600N25N3GBTMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPD600N25N3GBTMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPD600N25N3GBTMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPD600N25N3GBTMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 90µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO252-3
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:60 mOhm @ 25A, 10V
Điện cực phân tán (Max):136W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:IPD600N25N3 G
IPD600N25N3 G-ND
IPD600N25N3 GTR
IPD600N25N3 GTR-ND
IPD600N25N3G
SP000676404
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IPD600N25N3GBTMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2350pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 250V 25A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):250V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận