IPD60R385CPBTMA1
IPD60R385CPBTMA1
Số Phần:
IPD60R385CPBTMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17839 Pieces
Bảng dữliệu:
IPD60R385CPBTMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPD60R385CPBTMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPD60R385CPBTMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPD60R385CPBTMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 340µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO252-3
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:385 mOhm @ 5.2A, 10V
Điện cực phân tán (Max):83W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:IPD60R385CP
IPD60R385CP-ND
IPD60R385CPINTR
IPD60R385CPINTR-ND
IPD60R385CPXT
SP000062533
SP000307381
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IPD60R385CPBTMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:790pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 650V 9A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận