IPD65R380E6ATMA1
IPD65R380E6ATMA1
Số Phần:
IPD65R380E6ATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16162 Pieces
Bảng dữliệu:
IPD65R380E6ATMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPD65R380E6ATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPD65R380E6ATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPD65R380E6ATMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 320µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO252-3
Loạt:CoolMOS™ E6
Rds On (Max) @ Id, VGS:380 mOhm @ 3.2A, 10V
Điện cực phân tán (Max):83W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:SP001117736
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPD65R380E6ATMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:710pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 650V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:10.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận