IPD90R1K2C3BTMA1
IPD90R1K2C3BTMA1
Số Phần:
IPD90R1K2C3BTMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14608 Pieces
Bảng dữliệu:
IPD90R1K2C3BTMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPD90R1K2C3BTMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPD90R1K2C3BTMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPD90R1K2C3BTMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 310µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO252-3
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
Điện cực phân tán (Max):83W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:IPD90R1K2C3
IPD90R1K2C3-ND
IPD90R1K2C3BTMA1TR
IPD90R1K2C3TR-ND
SP000413720
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IPD90R1K2C3BTMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:710pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 900V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):900V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:5.1A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận