IPG20N10S4L22AATMA1
IPG20N10S4L22AATMA1
Số Phần:
IPG20N10S4L22AATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14059 Pieces
Bảng dữliệu:
IPG20N10S4L22AATMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPG20N10S4L22AATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPG20N10S4L22AATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPG20N10S4L22AATMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 25µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TDSON-8-10
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:22 mOhm @ 17A, 10V
Power - Max:60W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerVDFN
Vài cái tên khác:IPG20N10S4L22AATMA1TR
SP001091984
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:26 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPG20N10S4L22AATMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1755pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
Loại FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 60W Surface Mount PG-TDSON-8-10
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:20A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận