IPI028N08N3GHKSA1
IPI028N08N3GHKSA1
Số Phần:
IPI028N08N3GHKSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19362 Pieces
Bảng dữliệu:
IPI028N08N3GHKSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPI028N08N3GHKSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPI028N08N3GHKSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPI028N08N3GHKSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 270µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO262-3
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.8 mOhm @ 100A, 10V
Điện cực phân tán (Max):300W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vài cái tên khác:IPI028N08N3 G
IPI028N08N3 G-ND
SP000395160
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IPI028N08N3GHKSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:14200pF @ 40V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:206nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 80V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):80V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận