Mua IPI90R800C3XKSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 460µA |
---|---|
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | PG-TO262-3 |
Loạt: | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 800 mOhm @ 4.1A, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 104W (Tc) |
Bao bì: | Tube |
Gói / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Vài cái tên khác: | IPI90R800C3 IPI90R800C3-ND SP000413730 SP000683086 |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Through Hole |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 6 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | IPI90R800C3XKSA1 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 100V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 900V 6.9A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 900V |
Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262 |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 6.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |