IPI90R800C3XKSA1
IPI90R800C3XKSA1
Số Phần:
IPI90R800C3XKSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12528 Pieces
Bảng dữliệu:
IPI90R800C3XKSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPI90R800C3XKSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPI90R800C3XKSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPI90R800C3XKSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 460µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO262-3
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:800 mOhm @ 4.1A, 10V
Điện cực phân tán (Max):104W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vài cái tên khác:IPI90R800C3
IPI90R800C3-ND
SP000413730
SP000683086
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:6 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPI90R800C3XKSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 900V 6.9A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):900V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:6.9A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận