IPP028N08N3GXKSA1
IPP028N08N3GXKSA1
Số Phần:
IPP028N08N3GXKSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14161 Pieces
Bảng dữliệu:
IPP028N08N3GXKSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPP028N08N3GXKSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPP028N08N3GXKSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPP028N08N3GXKSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 270µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO-220-3
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.8 mOhm @ 100A, 10V
Điện cực phân tán (Max):300W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Vài cái tên khác:IPP028N08N3 G
IPP028N08N3 G-ND
IPP028N08N3G
SP000680766
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:14 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPP028N08N3GXKSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:14200pF @ 40V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:206nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 80V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):80V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận