IPP04N03LB G
IPP04N03LB G
Số Phần:
IPP04N03LB G
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16840 Pieces
Bảng dữliệu:
IPP04N03LB G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPP04N03LB G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPP04N03LB G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPP04N03LB G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 70µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO220-3-1
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:3.8 mOhm @ 55A, 10V
Điện cực phân tán (Max):107W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Vài cái tên khác:IPP04N03LBGX
SP000064223
SP000680800
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IPP04N03LB G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:5203pF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 80A (Tc) 107W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận