IPP080N06N G
IPP080N06N G
Số Phần:
IPP080N06N G
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18102 Pieces
Bảng dữliệu:
IPP080N06N G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPP080N06N G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPP080N06N G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPP080N06N G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 150µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO220-3-1
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:8 mOhm @ 80A, 10V
Điện cực phân tán (Max):214W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Vài cái tên khác:IPP080N06NGX
IPP080N06NGXK
SP000204173
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):3 (168 Hours)
Số phần của nhà sản xuất:IPP080N06N G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3500pF @ 30V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:93nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 80A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận