Mua IPP180N10N3GXKSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 33µA |
---|---|
Vgs (Tối đa): | ±20V |
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | PG-TO-220-3 |
Loạt: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 18 mOhm @ 33A, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 71W (Tc) |
Bao bì: | Tube |
Gói / Case: | TO-220-3 |
Vài cái tên khác: | IPP180N10N3 G IPP180N10N3 G-ND IPP180N10N3G SP000683090 |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
gắn Loại: | Through Hole |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 14 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | IPP180N10N3GXKSA1 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 1800pF @ 50V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 100V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 100V |
Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3 |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 43A (Tc) |
Email: | [email protected] |