IPU135N08N3 G
IPU135N08N3 G
Số Phần:
IPU135N08N3 G
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18363 Pieces
Bảng dữliệu:
IPU135N08N3 G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPU135N08N3 G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPU135N08N3 G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPU135N08N3 G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 33µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO251-3
Loạt:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:13.5 mOhm @ 50A, 10V
Điện cực phân tán (Max):79W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vài cái tên khác:IPU135N08N3G
IPU135N08N3GBKMA1
SP000521642
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IPU135N08N3 G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1730pF @ 40V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 80V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):80V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận