Mua IRF1010EL với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-262 |
Loạt: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 12 mOhm @ 50A, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 200W (Tc) |
Bao bì: | Tube |
Gói / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Vài cái tên khác: | *IRF1010EL |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
gắn Loại: | Through Hole |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Số phần của nhà sản xuất: | IRF1010EL |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 3210pF @ 25V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 60V 84A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 60V |
Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 60V 84A TO-262 |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 84A (Tc) |
Email: | [email protected] |