IRF3205LPBF
IRF3205LPBF
Số Phần:
IRF3205LPBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15950 Pieces
Bảng dữliệu:
IRF3205LPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRF3205LPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRF3205LPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRF3205LPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-262
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:8 mOhm @ 62A, 10V
Điện cực phân tán (Max):200W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vài cái tên khác:*IRF3205LPBF
SP001564458
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:14 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IRF3205LPBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3247pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:146nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 55V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):55V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận