Mua IRF5210PBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Tối đa): | ±20V |
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-220AB |
Loạt: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 60 mOhm @ 24A, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 200W (Tc) |
Bao bì: | Tube |
Gói / Case: | TO-220-3 |
Vài cái tên khác: | *IRF5210PBF SP001559642 |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
gắn Loại: | Through Hole |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 14 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | IRF5210PBF |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 2700pF @ 25V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
Loại FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | P-Channel 100V 40A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 100V |
Sự miêu tả: | MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
Email: | [email protected] |