IRF5803TRPBF
IRF5803TRPBF
Số Phần:
IRF5803TRPBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14196 Pieces
Bảng dữliệu:
IRF5803TRPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRF5803TRPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRF5803TRPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRF5803TRPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:Micro6™(TSOP-6)
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:112 mOhm @ 3.4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vài cái tên khác:IRF5803TRPBF-ND
IRF5803TRPBFTR
SP001564566
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:25 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IRF5803TRPBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1110pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:37nC @ 10V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 40V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):40V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:3.4A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận