IRF6674TRPBF
IRF6674TRPBF
Số Phần:
IRF6674TRPBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14627 Pieces
Bảng dữliệu:
IRF6674TRPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRF6674TRPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRF6674TRPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRF6674TRPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.9V @ 100µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DIRECTFET™ MZ
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:11 mOhm @ 13.4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):3.6W (Ta), 89W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:DirectFET™ Isometric MZ
Vài cái tên khác:IRF6674TRPBF-ND
IRF6674TRPBFTR
SP001564538
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IRF6674TRPBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 13.4A (Ta), 67A (Tc) 3.6W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:13.4A (Ta), 67A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận