IRF6727MTR1PBF
IRF6727MTR1PBF
Số Phần:
IRF6727MTR1PBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17475 Pieces
Bảng dữliệu:
IRF6727MTR1PBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRF6727MTR1PBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRF6727MTR1PBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRF6727MTR1PBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 100µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DIRECTFET™ MX
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.7 mOhm @ 32A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:DirectFET™ Isometric MX
Vài cái tên khác:IRF6727MTR1PBFTR
SP001529178
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IRF6727MTR1PBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:6190pF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:74nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:32A (Ta), 180A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận