IRF7342D2PBF
IRF7342D2PBF
Số Phần:
IRF7342D2PBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18644 Pieces
Bảng dữliệu:
IRF7342D2PBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRF7342D2PBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRF7342D2PBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRF7342D2PBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SO
Loạt:FETKY™
Rds On (Max) @ Id, VGS:105 mOhm @ 3.4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2W (Ta)
Bao bì:Tube
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vài cái tên khác:*IRF7342D2PBF
SP001563510
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IRF7342D2PBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:690pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:Schottky Diode (Isolated)
Mô tả mở rộng:P-Channel 55V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Xả để nguồn điện áp (Vdss):55V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:3.4A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận