IRF7473PBF
IRF7473PBF
Số Phần:
IRF7473PBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15195 Pieces
Bảng dữliệu:
IRF7473PBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRF7473PBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRF7473PBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRF7473PBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SO
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:26 mOhm @ 4.1A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.5W (Ta)
Bao bì:Tube
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vài cái tên khác:SP001572110
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IRF7473PBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3180pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:61nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 6.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:6.9A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận