IRF7759L2TRPBF
IRF7759L2TRPBF
Số Phần:
IRF7759L2TRPBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17885 Pieces
Bảng dữliệu:
IRF7759L2TRPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRF7759L2TRPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRF7759L2TRPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRF7759L2TRPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DIRECTFET L8
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.3 mOhm @ 96A, 10V
Điện cực phân tán (Max):3.3W (Ta), 125W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:DirectFET™ Isometric L8
Vài cái tên khác:IRF7759L2TRPBF-ND
IRF7759L2TRPBFTR
SP001563710
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IRF7759L2TRPBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:12222pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 75V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):75V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:26A (Ta), 375A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận