IRF7807TRPBF
IRF7807TRPBF
Số Phần:
IRF7807TRPBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17288 Pieces
Bảng dữliệu:
IRF7807TRPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRF7807TRPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRF7807TRPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRF7807TRPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±12V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SO
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:25 mOhm @ 7A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):2.5W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vài cái tên khác:IRF7807PBFTR
IRF7807TRPBF-ND
IRF7807TRPBFTR-ND
SP001570502
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:14 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IRF7807TRPBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:8.3A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận