IRF8308MTR1PBF
IRF8308MTR1PBF
Số Phần:
IRF8308MTR1PBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 27A MX
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12358 Pieces
Bảng dữliệu:
IRF8308MTR1PBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRF8308MTR1PBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRF8308MTR1PBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRF8308MTR1PBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 100µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DIRECTFET™ MX
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.5 mOhm @ 27A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:DirectFET™ Isometric MX
Vài cái tên khác:IRF8308MTR1PBF-ND
SP001563880
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IRF8308MTR1PBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:4404pF @ 15V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 27A MX
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:27A (Ta), 150A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận