IRFBC30ASTRRPBF
IRFBC30ASTRRPBF
Số Phần:
IRFBC30ASTRRPBF
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14842 Pieces
Bảng dữliệu:
IRFBC30ASTRRPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRFBC30ASTRRPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRFBC30ASTRRPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRFBC30ASTRRPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D2PAK
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Điện cực phân tán (Max):74W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IRFBC30ASTRRPBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:510pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount D2PAK
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:3.6A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận