IRFBE30L
IRFBE30L
Số Phần:
IRFBE30L
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
14226 Pieces
Bảng dữliệu:
IRFBE30L.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRFBE30L, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRFBE30L qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRFBE30L với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:I2PAK
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:3 Ohm @ 2.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):125W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vài cái tên khác:*IRFBE30L
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IRFBE30L
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:78nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Xả để nguồn điện áp (Vdss):800V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4.1A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận