IRFH5250DTR2PBF
IRFH5250DTR2PBF
Số Phần:
IRFH5250DTR2PBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13050 Pieces
Bảng dữliệu:
IRFH5250DTR2PBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRFH5250DTR2PBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRFH5250DTR2PBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRFH5250DTR2PBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 150µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PQFN (5x6) Single Die
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.4 mOhm @ 50A, 10V
Điện cực phân tán (Max):3.6W (Ta), 156W (Tc)
Bao bì:Original-Reel®
Gói / Case:8-VQFN
Vài cái tên khác:IRFH5250DTR2PBFDKR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IRFH5250DTR2PBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:6115pF @ 13V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:83nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 25V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Xả để nguồn điện áp (Vdss):25V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:40A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận