IRFIB5N65APBF
IRFIB5N65APBF
Số Phần:
IRFIB5N65APBF
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19359 Pieces
Bảng dữliệu:
IRFIB5N65APBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRFIB5N65APBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRFIB5N65APBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRFIB5N65APBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220-3
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:930 mOhm @ 3.1A, 10V
Điện cực phân tán (Max):60W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vài cái tên khác:*IRFIB5N65APBF
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IRFIB5N65APBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1417pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 650V 5.1A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:5.1A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận