IRFR13N20DTRPBF
Số Phần:
IRFR13N20DTRPBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13202 Pieces
Bảng dữliệu:
IRFR13N20DTRPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRFR13N20DTRPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRFR13N20DTRPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRFR13N20DTRPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D-Pak
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:235 mOhm @ 8A, 10V
Điện cực phân tán (Max):110W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:IRFR13N20DPBFTR
IRFR13N20DTRPBF-ND
IRFR13N20DTRPBFTR-ND
SP001567488
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IRFR13N20DTRPBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:830pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):200V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận